外延片的生长工艺有很多流程，需要很多高菁尖设备，生长出来的外延片直接决定了 LED 的波长、亮度、正向电压等主要的光电参数。外延片的生长基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石、SiC 碳化硅、Si 硅）上，气态物质 In Ga Al P(铟 家 铝 磷) 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前主要的外延片衬底材料有蓝宝石、碳化硅和硅。不同的衬底材料有不同的光电特性，价格差别也很大。外延片制造过程如下：

先把晶棒切片，切片需要注意晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度；切片后为了防止晶片边缘碎裂、防止热应力集中以及增加外延层的平坦度 需要把晶边磨圆，然后还需要蚀刻(shí kè)，蚀刻的目的在于把前面机械加工所造成的损伤给去掉，蚀刻需要用到晶片研磨机；下一步需要将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时，再在空气中快速冷却，可以将所有氧杂质去除，这样晶片的电性（阻值）仅由载流子杂质来控制，从而稳定电阻，这一步需要使用到高温快速热处理设备；然后使用抛光机再给晶片抛光；再然后就是使用晶片清洗机来清洗晶片，用RCA溶液（双i氧水＋氨水或又氧水＋盐酸），将前面工序所形成的污染清除，蕞后在无尘环境中严格检查晶片表面的洁净度、平坦度确保符合规格要求，蕞后包装到特殊的容器中保存。

企业视频展播，请点击播放

视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，标志着我国半导体照明项目正式启动。

2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。

2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的政府公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。

中国LED产业起步阶段，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政府政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。

二次封装LED主要可用于以下几个方面：

　　(1)应用于广场、公园地下　　由于二次封装LED防护等级达到高的IP68，可用于地下、水下等恶劣环境，被广泛的应用于广场、公园、河道等场所的景观用灯。如武汉的江滩公园玻璃广场地下景观及显示屏照明、杭州西城广场地下灯光带、鄂尔多斯草坪造型照明、诸暨浦阳江河道照明等。照明设计师在设计广场、公园、河道等场所照明时，可以利用二次封装LED该特性，改变传统景观照明设计的局限性，创意出更好的景观照明作品。

　　(2)应用于桥梁照明　　因二次封装LED点光源外形超薄、材质透明、体积小、重量轻、软线连接的特点，当在桥梁上使用时，与传统的LED数码管和传统的LED点光源相比，不会破坏桥梁的白天效果，非常适合像桥梁这种安装维护难度较高的环境。如：青岛丹山大桥、绍兴常禧桥、南通怡桥。

　　(3)应用于楼体轮廓及立面幕墙　　以往幕墙照明是一个难以解决的灯照明设计课题，二次封装LED的面世，了这一难题，其安装灵活、防水性好、安全节能，是幕墙节点安装的理想灯具。利用电脑控制，设计成广告显示屏形式，既可以作为外墙景观照明的一部分，也可以作为广告显示屏使用。